近場掃描光學(xué)顯微鏡原理：

使用由熔拉或腐蝕光纖波導(dǎo)所制成之探針，在外表鍍上金屬薄膜已形成末端具有15nm至100nm直徑尺寸之光學(xué)孔徑(optical aperture) 的近場光學(xué)探針，再以可作精密位移與掃描探測之壓電陶瓷材料(piezo-electrcal ceramics) 配合原子力顯微技術(shù)(atomic force microscopy, AFM) 所提供的高度回饋控制，將近場光學(xué)探針非常地(垂直與水平于樣品表面的方向之空間解析度可分別達到約0.1nm 與1nm) 控制在被測樣品表面上1nm 至100nm 的高度，進行三維空間可回饋控制的近場掃描(scanning)，而具有奈米光學(xué)孔徑之光纖探針即可做接收或發(fā)射光學(xué)訊息之用，由此獲得一真實空間之三維近場光學(xué)影像，因其與樣品表面距離遠小于一般光波波長，測得的信息皆屬近場光學(xué)作用的信息，無平常常見的遠場光學(xué)中繞射極限的光學(xué)解析度限制。

偏光顯微鏡 近場光學(xué)顯微鏡的應(yīng)用：

近場光學(xué)顯微鏡(倒置金相顯微鏡)突破傳統(tǒng)光學(xué)繞射限制，可直接利用光來觀察奈米材料，分析奈米元件顯微結(jié)構(gòu)及缺陷，近年來已應(yīng)用在分析半導(dǎo)體雷射元件上。因其具有高解析度，可應(yīng)用于高密度資料存取，目前已運用此一技術(shù)成功制作出超過100 GB 之超解析近場光碟片。此外還可應(yīng)用于生物分子及蛋白質(zhì)熒光光近場顯微分析。

近場掃描光學(xué)顯微鏡的原理與構(gòu)造：

一般光學(xué)顯微鏡于遠場觀測時，因受到光波的繞射限制，其解析度僅有數(shù)百納米左右。但若在近場觀測時，可避免繞射及干涉的產(chǎn)生，能克服繞射限制，將解析度提升至數(shù)十納米左右。

近場掃描光學(xué)顯微鏡的結(jié)構(gòu)中，以末端背有數(shù)十納米口徑的錐狀光纖為探針。將探針和被測物的距離控制在近場觀測范圍內(nèi)，利用可精密定位與掃描探測的壓電陶瓷，并配合原子力顯微鏡所提供的高度回饋控制系統(tǒng)，進行三維空間近場掃描。再由光纖探針接收或發(fā)射光學(xué)訊號，以獲得三維近場光學(xué)影像。